Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 18А

Немає в наявності
Код товару: SIS780DN-T1-GE3
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS780DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24,5нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17,7Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210

16,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 3,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 3,3В; DO35; 3,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

3035,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO35
Недоступний
IC: power switch; high-side; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; USP8B06
IC: power switch; high-side; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD; USP8B06

42,45 грн

Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вихідний струм:
1,5А
Кількість каналів:
1
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 40÷44,2В; 27А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 40÷44,2В; 27А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC

48,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 11м; тросик; Cu; PUR; 22AWG
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 11м; тросик; Cu; PUR; 22AWG

6138,50 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Модуль: IGBT; 62MM; пригвинчуваний; 2,4кВт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 62MM; пригвинчуваний; 2,4кВт; Field Stop,Trench

4815,64 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
62MM
Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
2,4кВт
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 143В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 143В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка

3905,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD