Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А

Name: Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А
Brand: VISHAY
SKU: SISC06DN-T1-GE3
Price: 67.15 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SISC06DN-T1-GE3

67,15 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SISC06DN-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

58нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-16...20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

4мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

29,6Вт

Струм стока:

40А

Струм стоку в імпульсі:

100А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET + Schottky

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
3,5нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

82,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK