1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт
Немає в наявності
Код товару: MXP120A080FW-GE3
487,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MXP120A080FW-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 47,3нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,175Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 58А
Технологія: MaxSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 330мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: power metal; 12мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±5%
Резистор: power metal; 12мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±5%

8,30 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 190В; 730мА; односпрямована; TransZorb®; TGL41
Діод: TVS; 400Вт; 190В; 730мА; односпрямована; TransZorb®; TGL41

13,87 грн

Зворотна напруга макс.:
171В
Корпус:
DO213AB; GL41; MELF plastic
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
190В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

11,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 38,5мГн; 600мА; R: 1,2Ом; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 38,5мГн; 600мА; R: 1,2Ом; 250ВAC; -25÷120°C

80,46 грн

Індуктивність:
38,5мГн
Монтаж:
THT
Опір:
1,2Ом
Робоча напруга:
250В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 27Вт; TO220F

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT