1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
Немає в наявності
Код товару: AIMW120R045M1XKSA1
1045,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 114Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 96кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; SMD; TQFP80; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 96кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; SMD; TQFP80; PIC18

802,71 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Діод: TVS; 600Вт; 36В; 12А; односпрямована; ±5%; DO15; Ammo Pack
Діод: TVS; 600Вт; 36В; 12А; односпрямована; ±5%; DO15; Ammo Pack

27,24 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
31В
Корпус:
DO15
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 H; 5G6мм2; неекранований; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 H; 5G6мм2; неекранований; 300В,500В

803,35 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 312; лоток; 1В
IC: FPGA; SMD; I/O: 312; лоток; 1В

16357,72 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
312
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT