Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 38А; Idm: 134А; 115Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 38А; Idm: 134А; 115Вт
Brand: ONSEMI
SKU: NTHL040N120M3S
Price: 570.83 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NTHL040N120M3S

570,83 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NTHL040N120M3S

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

75нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-10...22В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

80мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

115Вт

Струм стока:

38А

Струм стоку в імпульсі:

134А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт

200,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
59,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт

174,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,8нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
96нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB