1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт
Немає в наявності
Код товару: IMZ120R350M1HXKSA1
319,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...23В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 662мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 4,7А
Струм стоку в імпульсі: 13А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл