Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт

Немає в наявності
Код товару: WNSC2M60120R6Q
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: WNSC2M60120R6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 417Вт
Струм стока: 43,2А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 15Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 24кБSRAM; TQFP64; DSPIC; 0,5мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 24кБSRAM; TQFP64; DSPIC; 0,5мм

105,17 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; PMP; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THT; 3A; 250V

229,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC; THT
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC; THT

78,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x3; COG; CWG; PPS; PWM; XLP; ZCD
Генератор вбудований:
16МГц
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP66; PG21; -40÷125°C
Корпус для з’єднувачів: HDC; IP66; PG21; -40÷125°C

0,00 грн

Клас герметичності:
IP66
Різьба сальника:
PG21
Робоча температура:
-40...125°C
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 3A; 250V

1227,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Кабель: до датчиків; вилка; IP67; Iном: 4А; Модель: неекранований
Кабель: до датчиків; вилка; IP67; Iном: 4А; Модель: неекранований

1781,55 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT