Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 28,2А; Idm: 80А

Немає в наявності
Код товару: SIS606BDN-T1-GE3
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS606BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 20,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33,3Вт
Струм стока: 28,2А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач безпеки: RFID; R-SAFE; IP67; POK; 24ВDC; -25÷70°C; 5м
Вимикач безпеки: RFID; R-SAFE; IP67; POK; 24ВDC; -25÷70°C; 5м

5457,43 грн

Використання:
харчова промисловість
Виходи безпеки:
2
Дальність:
12...25мм
Довжина відводів:
5м
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 132кБ; 2кБEEPROM,6кБSRAM; TQFP80; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 132кБ; 2кБEEPROM,6кБSRAM; TQFP80; DSPIC

1355,17 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
CAN x2; DSP; FIFO; I2C; SPI x2; UART x2
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 88; har-flex®
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 88; har-flex®

119888,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
88
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

278,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268