Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR870ADP-T1-GE3
69,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR870ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 66,6Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; THT; OUT: 1; 23÷30В
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; THT; OUT: 1; 23÷30В

47394,25 грн

Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Кількість виходів:
1
Монтаж:
THT
Напруга живлення:
23...30В
Недоступний
Лічильник; цифровий; 0÷16А; 220÷240В; 155x70x77мм; 3,68кВт
Лічильник; цифровий; 0÷16А; 220÷240В; 155x70x77мм; 3,68кВт

0,00 грн

Вимір:
енергії; напруги AC; потужності; струму AC
Властивості вимірювальних приладів:
функція розрахунку витрат на енергію
Джерело живлення:
акумулятор Ni-MH 3,6В
Діапазон вимірювання напруги AC:
220...240В
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; 2-wire,I2C; 256x8бит; TSSOP8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; 2-wire,I2C; 256x8бит; TSSOP8; туба

18,50 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
TSSOP8
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

533,45 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Тримач; пригвинчуваний,самоклеючі; поліамід; UL94V-2; A: 28мм
Тримач; пригвинчуваний,самоклеючі; поліамід; UL94V-2; A: 28мм

8,68 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
монтаж кабельних стягувань
Вимір D:
1,6мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір корпусу:
натуральний
Недоступний
IC: FPGA; SMD; I/O: 300; лоток; 1,1В
IC: FPGA; SMD; I/O: 300; лоток; 1,1В

26399,55 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
300
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1В
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 22,2÷24,5В; 48А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 22,2÷24,5В; 48А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
170нКл
Монтаж:
SMD