Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 40А; Idm: 70А; 48Вт

Немає в наявності
Код товару: SI7858BDP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7858BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 3,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 1А; Полюси: 2; SNAP-IN; IP40; MCB
Вимикач максимального струму; 1А; Полюси: 2; SNAP-IN; IP40; MCB

985,18 грн

Виводи:
конектори
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP40
Колір кнопки:
червоний/зелений
Недоступний
Резистор: thin film; 28Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 28Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC18; Q84
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC18; Q84

128,61 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x3; CLC x8; CRC; CWG x3; DMAC x8; HLVD; NCO; PoR; watchdog; zero cross detect
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C; JTAG; LIN; RS232; RS485; SPI x2; UART x5
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 16В; X7R; ±10%; 1206
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 16В; X7R; ±10%; 1206

20,27 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 15; 1.5mm
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 15; 1.5mm

37,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
15
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THR,THT; 3A

23,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1,2мкГн; 720мА; R: 0,084Ом; ±5%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1,2мкГн; 720мА; R: 0,084Ом; ±5%; LQH

5,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
1,2мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD