Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 1,2А; Idm: 6А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 1,2А; Idm: 6А
Brand: VISHAY
SKU: SI3440DV-T1-E3
Price: 19.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI3440DV-T1-E3

19,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI3440DV-T1-E3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

8нКл

Корпус:

SC74; TSOP6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

150В

Опір в стані провідності:

0,4Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,14Вт

Струм стока:

1,2А

Струм стоку в імпульсі:

6А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SOT26; SOT457

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5нКл

Корпус:
MPT3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,4нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
PG-HDSOP-16

Монтаж:
SMD