Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 2,8А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI4488DY-T1-GE3
172,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4488DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 2,8А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 300А; Ufmax: 1В; Ir: 25мкА
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 300А; Ufmax: 1В; Ir: 25мкА

2263,05 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Недоступний
Дочірня плата; 20Вт; 488ВAC; 9А; 91x50x14мм
Дочірня плата; 20Вт; 488ВAC; 9А; 91x50x14мм

916,12 грн

Вхідна напруга макс.:
488В AC
Зовнішні розміри:
91x50x14мм
Максимальна потужність:
20Вт
Максимальний струм:
9А
Недоступний
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм

646,86 грн

Недоступний
Pliers: locking; Pliers len: 250mm; steel; nickel; Jaws width: 25mm
Pliers: locking; Pliers len: 250mm; steel; nickel; Jaws width: 25mm

3279,27 грн

Type of pliers:
затискні
Властивості кусачок/ножів:
регулюючий гвинт дає змогу вступної регуляції відкриття щелеп і їх сили затискання на предметі
Довжина щипців:
250мм
Матеріал:
сталь
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; PowerFLAT 5x6; SMD; 60В; 30А
Діод: випрямний Шотткі; PowerFLAT 5x6; SMD; 60В; 30А

27,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Монтаж:
SMD
Модуль автоматики: регулятор; температура; -20÷60°C; NTC; RTM
Модуль автоматики: регулятор; температура; -20÷60°C; NTC; RTM

1796,76 грн

Вид виходу:
SPDT; реле
Вид датчика температури:
NTC
Діапазон контрольованої величини:
-20...60°C
Додаткові функції:
стан режиму роботи: LED; управління приймачами залежно від температури
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний

30933,26 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид фільтру:
трифазний
Монтаж:
пригвинчуваний
Робоча напруга:
530В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD