Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 56,7А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIDR622DP-T1-RE3
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR622DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 20,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 56,7А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 2000кБ; 200МГц; SMD; TQFP64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 2000кБ; 200МГц; SMD; TQFP64; PIC32

684,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI; SPI x4; UART; UART x6; USART; USB
Кількість входів/виходів:
46
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; THT; DIP14; 2÷6ВDC; AC
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; THT; DIP14; 2÷6ВDC; AC

72,23 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 1,5мкФ
Конденсатор: поліпропиленовий; для двигунів, роботи; 1,5мкФ

353,52 грн

Виводи:
проводи
Висота:
58,5мм
Діаметр:
25мм
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex

9944,26 грн

Engineering PN:
2090-CPBM4DF-10AF03
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
3м
Модель:
заправлений
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; AUC; 10мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; AUC; 10мкА

18,37 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOT23
Недоступний
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм

79,83 грн

Кріплення:
гвинт
Матеріал:
метал
Розмір вентилятора:
120x120мм
Розмір вентиляційного отвору:
120x120мм
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD