Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 25А; Idm: 30А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 25А; Idm: 30А
Brand: VISHAY
SKU: SI7172DP-T1-GE3
Price: 74.13 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI7172DP-T1-GE3

74,13 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7172DP-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

77нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

200В

Опір в стані провідності:

76мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

96Вт

Струм стока:

25А

Струм стоку в імпульсі:

30А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
6,8нКл

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Корпус:
HSOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD