Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 34,4А; Idm: 80А

Немає в наявності
Код товару: SIR690DP-T1-GE3
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR690DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 34,4А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5(4+1); М12 "папа"; прямий; 2м; вилка
Кабель: до датчиків; PIN: 5(4+1); М12 "папа"; прямий; 2м; вилка

1473,65 грн

Будова екрану:
екранований
Властивості датчиків:
швидкий монтаж "push pull"
Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5 (4+1)
Недоступний
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30

20604,43 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Кількість зубів:
30
Модель:
QuickRelease; з тріскачкою
Розмір гнізда - дюйм:
3/4"
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5кОм
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Недоступний
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%

7,67 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK