Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 40А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4630DY-T1-E3
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4630DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 161нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
150В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW

10,01 грн

Високосортність:
39
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
6,2нГн
Недоступний
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 20; vertical; 500mA
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 20; vertical; 500mA

74,13 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0576-0041-8-71
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
лоток
Недоступний
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 7Вт; ±5%; Ø8,5x22мм; осьові; L: 22мм
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 7Вт; ±5%; Ø8,5x22мм; осьові; L: 22мм

108,97 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
22мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт

4797,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Опір в стані провідності:
60Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268