Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24,5А; Idm: 70А

Немає в наявності
Код товару: SI4634DY-T1-GE3
22,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4634DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,7Вт
Струм стока: 24,5А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 5А; 0,2S@max2,5ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 5А; 0,2S@max2,5ВА

3418,66 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
300А
Діаметр внутрішній:
26мм
Резистор: дротяний; 12Ом; 2Вт; ±5%; 6,7x4мм; -55÷200°C; 200ppm/°C
Резистор: дротяний; 12Ом; 2Вт; ±5%; 6,7x4мм; -55÷200°C; 200ppm/°C

14,76 грн

Допуск:
±5%
Опір:
12Ом
Потужність:
2Вт
Робоча температура:
-55...200°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A

88,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Резистор: thick film; 330Ом; 3Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; 3Вт; ±1%; -55÷155°C

7,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Опір:
330Ом
Потужність:
3Вт
Гніздо; гніздовий; PIN: 20; R; прямий; 3А; 1,91мм
Гніздо; гніздовий; PIN: 20; R; прямий; 3А; 1,91мм

15386,49 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
20
Номінальний струм:
3А
Покриття контакту:
позолочений
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD