Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт

Немає в наявності
Код товару: SISA10DN-T1-GE3
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISA10DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: струму; 3÷5,5ВDC; IC: ACS709; 20,8x22,9мм; -75÷75А
Датчик: струму; 3÷5,5ВDC; IC: ACS709; 20,8x22,9мм; -75÷75А

1142,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Діапазон вимірювання струму DC:
-75...75А
Інтегральна схема:
ACS709
Напруга живлення:
3...5,5В DC
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 40А; 3LD3; 18,5кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 40А; 3LD3; 18,5кВт

3110,75 грн

Властивості вимикачів:
з червоною ручкою
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель
Номінальний струм:
40А
Недоступний
Допоміжні контакти; бічний; Діапазон: 15с
Допоміжні контакти; бічний; Діапазон: 15с

2921,32 грн

Діапазон підраховування:
15с
Конфігурація контактів:
(NC + NO) із затримкою спрац.
Монтаж:
бічний
Тип аксесуарів для контакторів:
допоміжні контакти
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 44,7÷49,4В; 6,3А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 44,7÷49,4В; 6,3А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA

24,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
40,2В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3,7нГн; 900мА; R: 0,1Ом; LQG
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 3,7нГн; 900мА; R: 0,1Ом; LQG

5,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
3,7нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 178Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323