Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 250А

Немає в наявності
Код товару: SIRA36DP-T1-GE3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28,5Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; M18
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; M18

1011,79 грн

Дальність:
0...8мм
Конфігурація виходу:
PNP / NO
Корпус датчика:
M18
Тип датчика:
індуктивний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 86; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 86; THT; 1.5A; 60V

625,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
86
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 3мГн; R: 55мОм; SC; 5А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 3мГн; R: 55мОм; SC; 5А; 250ВAC; -25÷120°C

193,23 грн

Індуктивність:
3мГн
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Опір:
55мОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK