Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR466DP-T1-GE3
35,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR466DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: LED6000; 500кГц; 18÷36ВDC; 500мА
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: LED6000; 500кГц; 18÷36ВDC; 500мА

1894,96 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED
Вихідний струм:
0,5А
Компоненти:
LED6000
Підключення:
вимірювальний термінал
Кінцевий датчик; NC x4; M20; IP66; -25÷70°C; пластик
Кінцевий датчик; NC x4; M20; IP66; -25÷70°C; пластик

9604,04 грн

Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NC x4
Матеріал корпусу:
пластик
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 12G2,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 12G2,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В

1393,82 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 63,4Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 63,4Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 1.5A

361,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2000А; 20ВА; 127,5x112x84,1мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2000А; 20ВА; 127,5x112x84,1мм

11875,33 грн

Вхідний струм:
2кА
Зовнішні розміри:
127,5x112x84,1мм
Клас точності:
0,5
Максимальна напруга:
720В AC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 76; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 76; THT; 3A; 100V

338,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268