Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 33А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4456DY-T1-GE3
93,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4456DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 122нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 100мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 100мА

3462,37 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...6мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Загальна довжина:
39мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В

0,00 грн

Вид пам’яті:
NOR
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOP16
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC

404,21 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В
Резистор: вуглецевий; 430кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: випрямний; 800В; 20А; катод на болті; DO203AA,DO4,E7; M5
Діод: випрямний; 800В; 20А; катод на болті; DO203AA,DO4,E7; M5

908,52 грн

Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO4; DO203AA; E7
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
M5
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; 8÷48ВAC; IP67; PM5; пластик
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; 8÷48ВAC; IP67; PM5; пластик

745,69 грн

Діаметр діода ДУВ:
9,7мм
Клас герметичності:
IP67
Колір індикатора:
червоний
Матеріал корпусу:
пластик
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23