Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 36А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності
Код товару: SI4154DY-T1-GE3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4154DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 105нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 125ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 125ВDC

618,35 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
сірий
Недоступний
Резистор: thin film; 280кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 280кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 4А; 40Вт; TO225
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 4А; 40Вт; TO225

62,09 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO225
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
80В
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А
Трансформатор: тороїдальний; 600ВА; 230ВAC; 35В; 35В; 8,57А; 8,57А

6075,78 грн

Виводи:
проводи
Висота:
68мм
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
35В
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; односпрямована; DO15,DO204AC; P6KE

4,62 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
51В
Недоступний
Обрізний інстр; для труб; Ø26мм макс.
Обрізний інстр; для труб; Ø26мм макс.

3687,28 грн

Діапазон різки:
Ø26мм макс.
Застосування кусачок/ножів:
для труб
Тип інструмента:
обрізний інстр.
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА

261,02 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
19,5мм
Кількість всіх позицій:
30
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD