Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR418DP-T1-GE3
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR418DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; MSOP8
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; MSOP8

15,21 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вихідний струм:
0,5А
Дисплей: LCD; буквено-цифровий; STN Negative; 16x2; синій; LED
Дисплей: LCD; буквено-цифровий; STN Negative; 16x2; синій; LED

1374,81 грн

Вид дисплея:
буквено-цифровий
Вид контролера:
PIC 16F690
Висота знаку:
5,23мм
Інтерфейс:
I2C; RS232; SPI
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; I2C,serial; TSSOP14; SMD
IC: цифровий потенціометр; I2C,serial; TSSOP14; SMD

59,55 грн

Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C; serial
Корпус:
TSSOP14
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; 1.5A; 125V

625,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
2,5мм
Довжина відводів:
3мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669