Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 110А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR150DP-T1-RE3
27,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR150DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 45В
Опір в стані провідності: 3,97мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,7Вт
Струм стока: 110А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C

494,17 грн

Відповідність стандарту:
ANSI ESD S20:20.; EN 61340-5-1
Властивості елементів антистатики:
жорстка щетина; запобігає накопиченню електричних зарядів
Довжина робочої частини:
65мм
Довжина щетини:
21мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток

15479,62 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
248
Корпус:
FBGA484
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD