Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 11,3А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI4850BDY-T1-GE3
32,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4850BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,5Вт
Струм стока: 11,3А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; socket; male; data; Dubox®; 3A; PIN: 3; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; Dubox®; 3A; PIN: 3; 2.54mm

27,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N
Test probe: screw-in; magnetic; 8A; Ø: 1.8mm; T-113; CuBe; 1.5N

428,92 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,8мм
Довжина:
27,8мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 11нГн; 310мА; R: 0,28Ом; ±5%; LQW

4,05 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
11нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц

15,21 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WLCSP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл