Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А
Brand: VISHAY
SKU: SUM50020E-GE3
Price: 126.71 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А

Немає в наявності

Код товару: SUM50020E-GE3

126,71 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

SUM50020E-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

128нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

2,4мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

375Вт

Струм стока:

120А

Струм стоку в імпульсі:

300А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 100V

92,50 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT

Вигин пружини макс.:
5,3мм

Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні

Діаметр наконечника:
3мм

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 96; THT; 3A; 100V

456,16 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SOT26; SOT457

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5нКл

Корпус:
MPT3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,4нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
PG-HDSOP-16

Монтаж:
SMD