Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 373А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SIJH600E-T1-GE3
262,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIJH600E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 212нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 333Вт
Струм стока: 373А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 94,4В; 1,5А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF
Діод: TVS; 0,2кВт; 94,4В; 1,5А; односпрямована; SOD123F; Ch: 1; SMF

4,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
85В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Модуль автоматики: сенсорна панель; на панель; LVDS,USB; OMNI
Модуль автоматики: сенсорна панель; на панель; LVDS,USB; OMNI

34114,33 грн

Cенсорна панель:
опору
Властивості пускових комплектів і програматорів:
without HDD/SSD; without RAM memory
Діагональ екрану:
17"
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; BiCMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; BiCMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD

552,46 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
bus transceiver
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 22,2÷24,5В; 18,6А; двоспрямована; SMB; SMBJ

4,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AA; 10нА
Діод: зенера; 500мВт; 30В; SMD; DO213AA; 10нА

1799,93 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
30В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Датчик: вібрації руху; -40÷125°C; OUT: SPST-NO; 5ВDC
Датчик: вібрації руху; -40÷125°C; OUT: SPST-NO; 5ВDC

162,82 грн

Конфігурація виходу:
SPST-NO
Навантажувальна здатність контактів DC @R:
0,01A / 5В DC
Напруга живлення:
5В DC
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1908,90 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,333А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD