1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 373А; Idm: 500А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 373А; Idm: 500А
Немає в наявності
Код товару: SIJH600E-T1-GE3
262,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIJH600E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 212нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 333Вт
Струм стока: 373А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; 0,2А; 1МГц; SO8; flyback; 7÷18В; 0÷48%; SMPS
IC: PMIC; контролер PWM; 0,2А; 1МГц; SO8; flyback; 7÷18В; 0÷48%; SMPS

52,58 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
SMPS
Вихідний струм:
0,2А
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11

126,08 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
15мм
Монтаж:
THT
Поверхня осі:
зі щілиною
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC

726,69 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

318,04 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м

89231,61 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8

50,05 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268