Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 16А; Idm: 20А; 13Вт

Немає в наявності
Код товару: SI8416DB-T2-E1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8416DB-T2-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: MICROFOOT® 1.6x1.6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±5В
Напруга сток-джерело: 8В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перфоратор; Ø: 14мм; Дов.інструмента: 350мм
Перфоратор; Ø: 14мм; Дов.інструмента: 350мм

1135,33 грн

Діаметр стержня:
14мм
Довжина інструмента:
350мм
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм
L: 70,1мм; Довж.заг: 70,1мм

516,98 грн

Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; VQFN28; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; VQFN28; PIC32

173,59 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 335÷371В; 1,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 335÷371В; 1,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 1A; A3; 2mm
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 1A; A3; 2mm

39,91 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0621-0502-9-71
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 94,4÷104В; 4,4А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 94,4÷104В; 4,4А; двоспрямована; SMB; SMBJ

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 22,2÷24,5В; 92,6А; односпрямована; ±5%; SMLJ
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 22,2÷24,5В; 92,6А; односпрямована; ±5%; SMLJ

51,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл