Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 137,5А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR5802DP-T1-RE3
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 137,5А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; TSSOP14; JTAG; 128БSRAM,2кБFLASH
IC: мікроконтролер MSP430; TSSOP14; JTAG; 128БSRAM,2кБFLASH

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
JTAG
Кількість каналів PWM:
2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

8,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Кабель: для сервоприводів; 5м; Стандарт: Siemens; ÖLFLEX CONNECT
Кабель: для сервоприводів; 5м; Стандарт: Siemens; ÖLFLEX CONNECT

6113,79 грн

Engineering PN:
6FX8002-2EQ10; 6FX8002-2EQ10-1AF0
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
5м
Застосування проводів:
ланцюгова передача
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 10А; Iвих: 1А; пригвинчуваний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 10А; Iвих: 1А; пригвинчуваний

1823,37 грн

Вихідний струм:
1А
Вхідний струм:
10А
Клас точності:
0,2
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Провід: світлопровід; Дл: 10м; Довж.заг: 100м
Провід: світлопровід; Дл: 10м; Довж.заг: 100м

0,00 грн

Довжина проводу:
10м
Загальна довжина:
100м
Тип проводу:
світлопровід
Увага!:
Дальність залежить від підсилювача волоконного світла.
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 20мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 20мм; DP11

126,08 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Монтаж:
THT
Поверхня осі:
зі щілиною
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 56В; SMD; DO213AB; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 56В; SMD; DO213AB; 50нА

162,82 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
56В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23