Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 50,3А; Idm: 120А

Немає в наявності
Код товару: SISS32ADN-T1-GE3
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS32ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 50,3А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Гніздо; гніздовий; PIN: 110; 1000; прямий; THT; на PCB; 2,54мм
Гніздо; гніздовий; PIN: 110; 1000; прямий; THT; на PCB; 2,54мм

40222,43 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
110
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 13,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

1,70 грн

Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
Гачок; 200мм; 106/C; знімач для підшипників
Гачок; 200мм; 106/C; знімач для підшипників

4566,66 грн

Використання інструментів:
знімач для підшипників
Довжина:
0,2м
Серія виробника:
106/C
Тип аксесуарів для інструментів:
гачок
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 45,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V

29,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Діод: TVS; 6,45÷7,14В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт
Діод: TVS; 6,45÷7,14В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт

8,36 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD