Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 700В; 6,5А; Idm: 35А; 31Вт

Немає в наявності
Код товару: WML13N70EM
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML13N70EM
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20,3нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 390мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 35А
Технологія: WMOS™ EM
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 698кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; 5ВDC; 10мА; L: 15мм; DP11

126,08 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
15мм
Монтаж:
THT
Поверхня осі:
зі щілиною
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 5м; вилка; 60ВDC

726,69 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,67В; 145,6А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

318,04 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 2x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м

89231,61 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOIC8

50,05 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт