1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 7,2А; Idm: 48А; 31Вт

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 7,2А; Idm: 48А; 31Вт
Немає в наявності
Код товару: WML80R480S
143,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML80R480S
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,48Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 7,2А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: WMOS™ S
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 500мА; 0805
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 500мА; 0805

16,47 грн

Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Максимальна напруга:
9В DC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Тримач PCB; для підігрівача,фіксація друкарських плат; ESD
Тримач PCB; для підігрівача,фіксація друкарських плат; ESD

27408,80 грн

Властивості паяльного обладнання:
3 рівні регулювання висоти
Застосування паяльного обладнання:
для підігрівача; фіксація друкарських плат
Модель:
ESD
Розміри приладу:
238x237x96мм
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 145МГц; Ch: 2; ±1,2÷18ВDC,2,4÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 145МГц; Ch: 2; ±1,2÷18ВDC,2,4÷36ВDC

414,98 грн

Вид упаковки:
туба
Діапазон напруги живлення:
± 1,2...18В DC; 2,4...36В DC
Кількість каналів:
2
Корпус:
SO8
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 14мм; 3/8"; IMPAKTOR
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 14мм; 3/8"; IMPAKTOR

357,96 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
30мм
Розмір гнізда:
HEX 14мм
Ножниці; для кабелів; 225мм; воронований інструмент
Ножниці; для кабелів; 225мм; воронований інструмент

2612,78 грн

Властивості кусачок/ножів:
воронований інструмент
Довжина інструмента:
225мм
Застосування кусачок/ножів:
для кабелів
Твердість леза:
прибл. 56 HRC
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG; 256БSRAM,4кБFLASH; Cmp: 1
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG; 256БSRAM,4кБFLASH; Cmp: 1

157,12 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
JTAG
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 42А; Idm: 126А; 495Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 42А; Idm: 126А; 495Вт; TO247

634,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 11А; Idm: 44А

398,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 41Вт

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт

191,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
I2PAK; TO262