Транзистор: N-MOSFET

Name: Транзистор: N-MOSFET
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: MNSR2N7593P2
Price: 9615.19 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: MNSR2N7593P2

9615,19 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3

Код товару:

MNSR2N7593P2

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 1кВ; THT

983,82 грн

Connector family:
роз'єм живлення

Висота:
13,6мм

Довжина:
32,05мм

Електричний монтаж:
THT

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт

107,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
20нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм

86,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220

103,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO220

Напруга сток-джерело:
100В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс

1912,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,27мкКл

Корпус:
PLUS264™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт

2001,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
THT

Напруга сток-джерело:
60В

Потужність розсіювання:
1,5Вт

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
IPAK