Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP1200UFR4-7
Price: 27.88 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMP1200UFR4-7

27,88 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMP1200UFR4-7

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:

5,8нКл

Корпус:

X2-DFN1010-3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-12В

Опір в стані провідності:

0,38Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,26Вт

Струм стока:

-2А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -12А

22,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,1нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт

27,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -80А

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
31нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -0,5А; Idm: -1А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2нКл

Корпус:
PowerPAK® 0806-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SC74; TSOP6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58,4нКл

Корпус:
PDFN5060-8