Реактор: дротяний; SMD; 03015; 8,4нГн; 350мА; R: 0,23Ом; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW04AN8N4C00D
2,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW04AN8N4C00D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,2нГн
Індуктивність: 8,4нГн
Корпус - дюйм: 03015
Корпус - мм: 0804
Монтаж: SMD
Опір: 0,23Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,35А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 8ГГц
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

15,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Панель HMI; 7"; 800x480; 18÷32ВDC; IP66; 0÷50°C; фотоелектрика
Панель HMI; 7"; 800x480; 18÷32ВDC; IP66; 0÷50°C; фотоелектрика

22482,92 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT
Використання:
фотоелектрика
Діагональ екрану:
7"
Інтерфейс:
Ethernet; RS232; RS422; RS485; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Недоступний
Провід; LiYCY-P; PAAR-TRONIC-CY; 16x2x0,75мм2; ПВХ; сірий; 350В
Провід; LiYCY-P; PAAR-TRONIC-CY; 16x2x0,75мм2; ПВХ; сірий; 350В

1044,10 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 2512; 750мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 2512; 750мВт; ±0,1%; TC; 200В

8,11 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм

5,45 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А

60,82 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А

65,89 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C

11,40 грн

Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
96мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн