Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 12нГн; 500мА; R: 0,28Ом; ±2%

Немає в наявності
Код товару: LQG15HS12NG02J
0,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 50000
Крок додавання: 50000
Код товару: LQG15HS12NG02J
Виробник: MURATA
Високосортність: 8
Діаметр роліка макс.: 330мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 12нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 0,28Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,5А
Серія виробника: LQG
Тип реактора: повітряна котушка
Частота резонансна: 3ГГц
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6

18,50 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт

155,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,8нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,1пФ
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм
Реактор: дротяний; THT; 10мкГн; 500мА; R: 1,5Ом; ±10%; Ø6,8x19,05мм

209,07 грн

Виводи:
осьові
Висота:
19,05мм
Діаметр:
6,8мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; R: 12мОм; SC; 15А; 250ВAC; -25÷120°C

330,72 грн

Індуктивність:
1мГн
Максимальний струм:
15А
Монтаж:
THT
Опір:
12мОм
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 270мкГн; Iробочий: 1,5А; R: 500мОм; ±10%

24,39 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; 4,4А; R: 41,6мОм; ±20%; ETQP4M

39,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,5мкГн; 2,5А; R: 35мОм; ±20%; 6,5x6,5x4,8мм

30,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,5мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
35мОм
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А
Реактор: дротяний з компенсацією; THT; 5,5мГн; R: 28мОм; SCF; 5А

309,17 грн

Індуктивність:
5,5мГн
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Опір:
28мОм
Реактор: дротяний; пригвинчуваний; 10мГн; 5А; R: 160мОм; ±15%; 127мм
Реактор: дротяний; пригвинчуваний; 10мГн; 5А; R: 160мОм; ±15%; 127мм

1905,73 грн

Виводи:
проводи x2
Довжина відводів:
127мм
Допуск:
±15%
Індуктивність:
10мГн