Реактор: дротяний; SMD; 0402; 2,8нГн; 1500мА; R: 0,047Ом; ±2%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN2N8G8ZD
4,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN2N8G8ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 2,8нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 47мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 1,5А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 13500МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

163,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATTINY; VDFN20; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

56,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
внутрішній датчик температури; зміцнення входів ADC
Інтерфейс:
debugWIRE; I2C; SPI
Кількість в наборі/упаковці:
6000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C
120пФ; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷150°C

117,21 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 470нФ; 450ВDC; THT; ±10%

9,88 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,25м

239,48 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; 3,3Вт; DirectFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; 3,3Вт; DirectFET

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DirectFET
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
60В
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 15А; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; 15А; -55÷125°C

8,87 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Реактор: film; SMD; 0201; 56нГн; 100мА; R: 3,9Ом; ±5%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 56нГн; 100мА; R: 3,9Ом; ±5%; LQP; 180мм

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
56нГн
Корпус - дюйм:
0201
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 74,1мОм; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 74,1мОм; -55÷125°C

40,48 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
74,1мОм
SMD; 0603; 330нГн; Iробочий: 1,2А; R: 130мОм; ±20%; 1,75x0,95x0,95мм
SMD; 0603; 330нГн; Iробочий: 1,2А; R: 130мОм; ±20%; 1,75x0,95x0,95мм

6,91 грн

Висота:
0,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,33мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 7,18А; R: 10,5мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 7,18А; R: 10,5мОм; ±20%

39,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
10,5мОм
Реактор: дротяний; SMD; 36мкГн; R: 950мОм; ±20%; 3,2x3,2x1,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 36мкГн; R: 950мОм; ±20%; 3,2x3,2x1,2мм

9,63 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
36мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
SMD; 3,3мГн; 2А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм
SMD; 3,3мГн; 2А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм

89,96 грн

Висота:
9,8мм
Зовнішні розміри:
19,8x14,8мм
Індуктивність:
3,3мГн
Максимальний струм:
2А