Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN3N4C8ZD
3,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN3N4C8ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Індуктивність: 3,4нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 30мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 1,95А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 10ГГц
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC

295,24 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; LIN; PWM; SPI; UART; USART; USB; USB OTG
Кількість входів/виходів:
50
Корпус:
LQFP64
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 450ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 450ВDC; ±20%

100,10 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
16мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86

491,64 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; SMT; 3A; 250V

254,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією