Реактор: дротяний; SMD; 0402; 330нГн; 390мА; R: 0,56Ом; ±5%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW15CNR33J1ZD
8,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15CNR33J1ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 0,33мкГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 0,56Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,39А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 520МГц
Недоступний
Кабель; PoweredUSB вилка,DC 5,5/2,1 вилка; прямий; чорний; 1м
Кабель; PoweredUSB вилка,DC 5,5/2,1 вилка; прямий; чорний; 1м

581,60 грн

Будова екрану:
подвійно екранований
Діаметр жили:
24AWG
Довжина кабелю:
1м
Зовнішній діаметр проводу:
6мм
Провід; ÖLFLEX® 550 P; 3G2,5мм2; неекранований; 450В,700В; Cu
Провід; ÖLFLEX® 550 P; 3G2,5мм2; неекранований; 450В,700В; Cu

360,49 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка

1406,49 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x2
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x2

263,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
PMP
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 35ВDC; Ø4x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 35ВDC; Ø4x11мм; ±20%

3,80 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-412; CuBe; 5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-412; CuBe; 5N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
9,8мм
Висота одвороту:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією