Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,8нГн; 1200мА; R: 0,071Ом; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN4N8D80D
3,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN4N8D80D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,5nH
Індуктивність: 4,8нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 71мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 1,2А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 8ГГц
Симістор; 800В; 8А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™
Симістор; 800В; 8А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™

70,96 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220ABIns
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 18кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 18кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,35 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7мм; 0,28"; Кільк.зн: 4; анод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 7мм; 0,28"; Кільк.зн: 4; анод

65,89 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
7мм, 0,28"
К-ть знаків:
4
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 910Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 910Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 5мм

31,68 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 13А; ±20%; Isat: 17А

60,82 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; R: 3,5мОм; ±20%; 9,8x8,5x4мм; 32А

65,89 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; 25А; 96мОм; -40÷125°C

11,40 грн

Індуктивність:
2,2мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
96мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн