Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5нГн; 1770мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN5N0C80D
2,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN5N0C80D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±0,2нГн
Індуктивність: 5нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 40мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 1,77А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 10ГГц
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48

845,16 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TSOP48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 79мОм; 13x10мм; 5мГн
Реактор: common mode; THT; 3А; R: 79мОм; 13x10мм; 5мГн

146,35 грн

Індуктивність одинарної обмотки:
5мГн
Монтаж:
THT
Опір:
79мОм
Растр виводів:
13x10мм
Датчик: рівня; G 1/2"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTL31
Датчик: рівня; G 1/2"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTL31

11632,05 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид датчика:
вібраційний
Використання:
рідини
Додаткові функції:
приварний адаптер
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; THT; -40÷85°C; 2,54мм; Контакти: SPST
Перемикач: DIP-SWITCH; Поз: 2; THT; -40÷85°C; 2,54мм; Контакти: SPST

281,30 грн

Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Конфігурація контактів:
SPST
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 1,69кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; 330нФ; 50В; Y5V; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 330нФ; 50В; Y5V; ±20%; THT; 5мм

12,29 грн

Діелектрик:
Y5V
Допуск:
±20%
Ємність:
0,33мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією