Реактор: дротяний; SMD; 0402; 8,2нГн; 1500мА; R: 0,069Ом; ±5%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN8N2J80D
3,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN8N2J80D
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 8,2нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 69мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 1,5А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 6,5ГГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

3,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Thermistor: NTC; 15kΩ; SMD; 0402; 3998K; ±5%; 1mW
Thermistor: NTC; 15kΩ; SMD; 0402; 3998K; ±5%; 1mW

1,25 грн

Type of thermistor:
NTC
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 20÷22,1В; 102,7А; односпрямована; SMC; ролик
Діод: TVS; 3кВт; 20÷22,1В; 102,7А; односпрямована; SMC; ролик

43,72 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: inch; UNF 1/4"; right hand thread; 28; L: 80mm; 5.5mm; 2B
Tap: inch; UNF 1/4"; right hand thread; 28; L: 80mm; 5.5mm; 2B

1983,66 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; TFBGA121; DSPIC; 0,8мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; TFBGA121; DSPIC; 0,8мм

533,45 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; motor controller; PMP; PoR; PPS; PWM; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; QEI x2; SMBus; SPI x3; UART x4
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 50мкФ; 2,7кВDC; ±10%; -40÷85°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 50мкФ; 2,7кВDC; ±10%; -40÷85°C

8969,85 грн

Виводи:
гвинти М8
Висота:
135мм
Діаметр:
84,4мм
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 11А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 11А; Idm: 70А

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Реактор: котушка; SMD; 0603; 33нГн; 600мА; R: 0,22Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 33нГн; 600мА; R: 0,22Ом; ±5%

4,75 грн

Високосортність:
43
Допуск:
±5%
Індуктивність:
33нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 240нГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 6,5А; 23мОм
Реактор: дротяний; SMD; 240нГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 6,5А; 23мОм

10,07 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,24мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
23мОм
Реактор: котушка; SMD; 0805; 2,2нГн; 800мА; R: 0,06Ом; 0,3нГн
Реактор: котушка; SMD; 0805; 2,2нГн; 800мА; R: 0,06Ом; 0,3нГн

6,21 грн

Високосортність:
50
Допуск:
0,3нГн
Індуктивність:
2,2нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±10%; 9,6А; ферит; 16мм; -40÷155°C
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±10%; 9,6А; ферит; 16мм; -40÷155°C

133,05 грн

Висота:
16мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: котушка; SMD; 1008; 82нГн; 1000мА; R: 0,18Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 1008; 82нГн; 1000мА; R: 0,18Ом; ±5%

5,01 грн

Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
82нГн
Корпус - дюйм:
1008
Реактор: film; SMD; 0201; 18нГн; 250мА; R: 0,8Ом; ±3%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 18нГн; 250мА; R: 0,8Ом; ±3%; LQP; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
20
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±3%
Індуктивність:
18нГн
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; 1,47А; R: 81мОм; ±20%; 7,3x7,3x4,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; 1,47А; R: 81мОм; ±20%; 7,3x7,3x4,5мм

15,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
81мОм