Реактор: дротяний; SMD; 0402; 9,7нГн; 540мА; R: 0,14Ом; ±5%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW15AN9N7J0ZD
3,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: LQW15AN9N7J0ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 9,7нГн
Корпус - дюйм: 0402
Корпус - мм: 1005
Монтаж: SMD
Опір: 0,14Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,54А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 5,5ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ

272,43 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Діапазон напруги живлення:
6,5...16В DC
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN48; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN48; PIC18; туба

98,83 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x3; CLC x8; CRC; DMAC x6; HLVD; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
I2C; LIN; RS232; RS485; SPI x2; UART x5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 300пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 300пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,3нФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 24,4В; 16,9А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

3,04 грн

Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
24,4В
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10; shrouded

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SOIC8

76,66 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 2,7А; R: 0,085Ом; Б: 9,4мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 2,7А; R: 0,085Ом; Б: 9,4мм

57,02 грн

Вимір D:
5,21мм
Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
22мкГн
SMD; W: 16,38мм; A: 14,22мм; H: 9,89мм; 450мОм; -40÷130°C
SMD; W: 16,38мм; A: 14,22мм; H: 9,89мм; 450мОм; -40÷130°C

100,10 грн

Висота:
9,89мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
450мОм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 5,4А; R: 52,5Ом; ±30%
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; Iробочий: 5,4А; R: 52,5Ом; ±30%

17,74 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
52,5Ом
Реактор: осьовий; THT; 220мкГн; 35мА; R: 28Ом; Ø2,8x4мм; Ø: 2,8мм
Реактор: осьовий; THT; 220мкГн; 35мА; R: 28Ом; Ø2,8x4мм; Ø: 2,8мм

4,88 грн

Висота:
4мм
Діаметр:
2,8мм
Індуктивність:
0,22мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; ±30%; 3,6А; 10,4x10,4x4мм; 50мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; ±30%; 3,6А; 10,4x10,4x4мм; 50мОм; -40÷125°C

46,88 грн

Допуск:
±30%
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
50мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Реактор: дротяний; SMD; 2,8мкГн; R: 2,9мОм; ±20%; 13,4x13,4x8мм; 20А
Реактор: дротяний; SMD; 2,8мкГн; R: 2,9мОм; ±20%; 13,4x13,4x8мм; 20А

101,37 грн

Висота:
8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,8мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10мкГн; 520мА; R: 500мОм; ±20%; CB
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 10мкГн; 520мА; R: 500мОм; ±20%; CB

5,70 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012