121,64 грн
| Глибина зрізу: 1,5мм |
| Діаметр осі: 6мм |
| Довжина осі: 20мм |
| Кількість всіх позицій: 24 |
3,43 грн
| Допуск: ±5% |
| Ємність: 0,1мкФ |
| Монтаж: THT |
| Растр виводів: 5мм |
15,52 грн
| Допуск: ±1% |
| Імпульсна макс. напруга: 500В |
| Корпус - дюйм: 2817 |
| Корпус - мм: 7142 |
881,91 грн
| Вид модуля: пам'ять EERAM |
| Інтерфейс: I2C |
| Компоненти: 47C16 |
| Напруга живлення: 5В DC |
292,70 грн
| Вид упаковки: туба |
| Вхідна напруга зміщення нуля: 5мВ |
| Вхідний поляризаційний струм: 0,1нА |
| Вхідний струм зміщення нуля: 0,1нА |
1,13 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діаметр роліка макс.: 180мм |
| Діелектрик: U2J |
| Допуск: ±5% |
42,26 грн
| Модель: ESD |
| Опір: 4,17кОм |
| Розміри корпусу: 3,2x1,6x0,61мм |
| Тип резистора: thin film |
8,30 грн
| Висота: 1,8мм |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 33мкГн |
| Корпус - дюйм: 1007 |
10,71 грн
| Високосортність: 15 |
| Висота: 4,2мм |
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±30% |
0,72 грн
| Високосортність: 16 |
| Допуск: ±0,1нГн |
| Індуктивність: 9,1нГн |
| Корпус - дюйм: 0402 |
1244,93 грн
| Індуктивність: 1,5мГн |
| Максимальний струм: 25А |
| Робоча температура: -40...125°C |
| Тип реактора: дротяний з компенсацією |
51,32 грн
| Висота: 6,2мм |
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 0,68мкГн |
34,85 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±20% |
| Індуктивність: 0,68мкГн |
| Монтаж: SMD |
2616,58 грн
| Індуктивність: 1,61мГн |
| Максимальний струм: 16А |
| Розміри корпусу: 64x42x65,5мм |
| Тип реактора: дротяний з компенсацією |