Реактор: дротяний; SMD; 0603; 390нГн; 80мА; R: 6,2Ом; ±2%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW18ANR39G0ZD
3,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18ANR39G0ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 0,39мкГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 6,2Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 80мА
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 0,8ГГц
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; Поз: 24; 5ВDC; 5мА; L: 20мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; Поз: 24; 5ВDC; 5мА; L: 20мм

121,64 грн

Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Кількість всіх позицій:
24
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±5%; THT
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±5%; THT

3,43 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 887кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 887кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: 47C16; пам'ять EERAM; 5ВDC
Click board; макетна плата; Комп: 47C16; пам'ять EERAM; 5ВDC

881,91 грн

Вид модуля:
пам'ять EERAM
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
47C16
Напруга живлення:
5В DC
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; DIP8; 5мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; DIP8; 5мВ; туба

292,70 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,1нА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805

1,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 4,17кОм; 3,2x1,6x0,61мм
Резистор: thin film; 4,17кОм; 3,2x1,6x0,61мм

42,26 грн

Модель:
ESD
Опір:
4,17кОм
Розміри корпусу:
3,2x1,6x0,61мм
Тип резистора:
thin film
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією