Реактор: дротяний; SMD; 0603; 5,1нГн; 700мА; R: 0,14Ом; ±5%; LQW

Немає в наявності
Код товару: LQW18AS5N1J0ZD
2,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18AS5N1J0ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 5,1нГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 0,14Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,7А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 5,7ГГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

42,45 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
IC: цифровий; транслятор; AND; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2,3÷3,6ВDC
IC: цифровий; транслятор; AND; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2,3÷3,6ВDC

17,11 грн

Вид затвору:
AND
Вид об'єднаної схеми:
транслятор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP5
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK

13,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 4,5÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 4,5÷5,5ВDC

263,56 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMAC x4; motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 301кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 301кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Оптрон; SMD; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ
Оптрон; SMD; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ

0,00 грн

Вид виходу:
ізольований підсилювач
Монтаж:
SMD
Напруга ізоляції:
3,75кВ
Тип оптоізолятора:
оптрон
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805

6,97 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією