Реактор: керамічний; SMD; 0805; 1мкГн; 240мА; R: 550мОм; ±5%

Немає в наявності
Код товару: B82498F1102J000
14,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 18000
Крок додавання: 3000
Код товару: B82498F1102J000
Виробник: TDK
Високосортність: 20
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±5%
Індуктивність: 1мкГн
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Монтаж: SMD
Опір: 0,55Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,24А
Тип реактора: керамічний
Частота резонансна: 440МГц
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2,5А; R: 120мОм; 250ВAC; -25÷120°C

116,57 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,12Ом
Робоча напруга:
250В AC
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; Isat: 13А
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 10А; ±20%; Isat: 13А

60,19 грн

Висота:
2,9мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,8А; 64мОм

15,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
8,2мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 1,85А; ±20%; Isat: 2,3А
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 1,85А; ±20%; Isat: 2,3А

21,60 грн

Висота:
3,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 360нГн; ±20%; 11,5x10,3x4мм; 33А; H: 4мм

15,84 грн

Висота:
4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,36мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 2,7x2,2x1мм; 2,2А; 240мОм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 2,7x2,2x1мм; 2,2А; 240мОм

12,10 грн

Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
240мОм
Розміри корпусу:
2,7x2,2x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 19А; порошкове залізо; H: 5мм

24,08 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн