Реактор: дротяний; SMD; 0805; 3нГн; 800мА; R: 0,06Ом; ±5%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW2BAS3N0J0CL
3,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: LQW2BAS3N0J0CL
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±5%
Індуктивність: 3нГн
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Монтаж: SMD
Опір: 60мОм
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,8А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 12200МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT,THT; 3A

229,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT; THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

210,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%

25,34 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
IC: пам'ять FLASH; 128МбFLASH; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В

0,00 грн

Вид пам’яті:
NOR
Інтерфейс:
QPI; SPI
Корпус:
WSON8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

50,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 1,9А; R: 0,09Ом; ±10%; Ø8,7x12мм
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 1,9А; R: 0,09Ом; ±10%; Ø8,7x12мм

20,91 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; 0,84А; R: 0,15Ом
Реактор: дротяний; SMD; 8,2мкГн; 0,84А; R: 0,15Ом

8,05 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
8,2мкГн
Корпус - мм:
0403
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; Iробочий: 3,23А; R: 60мОм; ±20%; DR
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; Iробочий: 3,23А; R: 60мОм; ±20%; DR

37,38 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
60мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 1,41А; R: 0,07Ом; ±30%; 2,4x2,4x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 1,41А; R: 0,07Ом; ±30%; 2,4x2,4x1мм

8,43 грн

Допуск:
±30%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
70мОм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 230мА; R: 3,51Ом; ±20%; 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; 230мА; R: 3,51Ом; ±20%; 3x3x1,5мм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
3,51Ом
Реактор: феритовий; THT; 220мкГн; 250мА; R: 3,3Ом; ±5%; Ø4x9,2мм
Реактор: феритовий; THT; 220мкГн; 250мА; R: 3,3Ом; ±5%; Ø4x9,2мм

17,74 грн

Високосортність:
70
Висота:
9,2мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±5%
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 500мА; R: 3Ом; ±15%
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 500мА; R: 3Ом; ±15%

22,17 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
10,5мм
Допуск:
±15%