Реактор: феритовий; SMD; 1,6мкГн; 2,85А; R: 38мОм; ±30%; VLCF

Немає в наявності
Код товару: VLCF4028T-1R6N2R3-2
16,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: VLCF4028T-1R6N2R3-2
Виробник: TDK
Допуск: ±30%
Індуктивність: 1,6мкГн
Монтаж: SMD
Опір: 38мОм
Робочий струм: 2,85А
Серія виробника: VLCF
Тип реактора: феритовий
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 133В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,5кВт; 133В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
120В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 80%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 80%

207,17 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
80%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V

302,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,2мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,3нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
AES; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; hardware encryption; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; LPUART; SPI x6; USART x4
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 33нГн; ±5%; 1,19x0,66x0,61мм; 350мОм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 33нГн; ±5%; 1,19x0,66x0,61мм; 350мОм

6,91 грн

Високосортність:
24
Допуск:
±5%
Індуктивність:
33нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 1,7А; ферит; H: 4,2мм; 337мОм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 1,7А; ферит; H: 4,2мм; 337мОм

22,36 грн

Високосортність:
8
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 47нГн; ±2%; 1,8x1,24x1,02мм; 280мОм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 47нГн; ±2%; 1,8x1,24x1,02мм; 280мОм

8,87 грн

Високосортність:
35
Допуск:
±2%
Індуктивність:
47нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 6,4А; ±20%; Isat: 7,8А
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 6,4А; ±20%; Isat: 7,8А

47,52 грн

Високосортність:
15
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Реактор: осьовий; THT; 5,6мкГн; 500мА; R: 400мОм; Ø3x8мм; Ø: 3мм
Реактор: осьовий; THT; 5,6мкГн; 500мА; R: 400мОм; Ø3x8мм; Ø: 3мм

6,34 грн

Висота:
8мм
Діаметр:
3мм
Індуктивність:
5,6мкГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 269нГн; ±10%; 2,29x1,68x1,58мм; 1Ом
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 269нГн; ±10%; 2,29x1,68x1,58мм; 1Ом

6,91 грн

Високосортність:
45
Допуск:
±10%
Індуктивність:
269нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; 2,6А; ферит; 3,3мм; 55мОм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; 2,6А; ферит; 3,3мм; 55мОм

25,34 грн

Високосортність:
16
Висота:
3,3мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн