Реактор: дротяний; SMD; 1210; 470мкГн; 60мА; R: 24,7Ом; ±10%; LQH

Немає в наявності
Код товару: LQH32DN471K23L
4,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: LQH32DN471K23L
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±10%
Індуктивність: 0,47мГн
Корпус - дюйм: 1210
Корпус - мм: 3225
Монтаж: SMD
Опір: 24,7Ом
Робоча температура: -40...85°C
Робочий струм: 60мА
Серія виробника: LQH
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 5МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X7S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X7S; ±10%; SMD; 0603

2,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC

432,08 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA
Генератор вбудований:
512кГц; 7,37МГц
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG
PIN: 5; чорний; луджений; 2,54мм; 22AWG

300,30 грн

Діаметр жили:
22AWG
Кількість пін:
5
Колір ізоляції:
чорний
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 16,7÷18,5В; 16,4А; односпрямована; DO214AC,SMA

4,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
15В
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C
Генератор; 50МГц; SMD; 7x5x1,3мм; 12пФ; ±50ppm; 1,8ВDC; -40÷85°C

91,23 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8В DC
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; Iробочий: 730мА; ±10%; Isat: 730мА
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; Iробочий: 730мА; ±10%; Isat: 730мА

33,58 грн

Виводи:
радіальні
Діаметр:
5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 4,7мкГн; ±10%; ферит; 2мм; 1,2Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 4,7мкГн; ±10%; ферит; 2мм; 1,2Ом

7,60 грн

Високосортність:
20
Висота:
2мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
4,7мкГн
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 3,3мкГн; 950мА; ±10%; Ømax: 178мм
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 3,3мкГн; 950мА; ±10%; Ømax: 178мм

12,80 грн

Виводи:
до лютування
Високосортність:
8
Висота:
2,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 2,6А; ферит; 2,7мм; 60мОм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; ±20%; 2,6А; ферит; 2,7мм; 60мОм

16,66 грн

Високосортність:
24
Висота:
2,7мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 99,14мкГн; 620мА; ±20%; 4,19мм; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 99,14мкГн; 620мА; ±20%; 4,19мм; -40÷85°C

88,06 грн

Висота:
4,19мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
99,14мкГн
Монтаж:
SMD
SMD; 1008; 1,5мкГн; R: 90мОм; ±20%; 2,7x2,2x1мм; Isat: 1,5А; ферит
SMD; 1008; 1,5мкГн; R: 90мОм; ±20%; 2,7x2,2x1мм; Isat: 1,5А; ферит

6,72 грн

Висота:
0,85мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Реактор: дротяний; SMD; 120нГн; ±5%; 1,8x1,12x1,02мм; кераміка
Реактор: дротяний; SMD; 120нГн; ±5%; 1,8x1,12x1,02мм; кераміка

6,15 грн

Високосортність:
32
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,12мкГн
Матеріал стержня:
кераміка