Реактор: феритовий; SMD; 150мкГн; 0,53А; R: 0,58Ом; ±20%; -55÷125°C

Немає в наявності
Код товару: B82472G6154M000
28,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 8000
Крок додавання: 1000
Код товару: B82472G6154M000
Виробник: TDK
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±20%
Індуктивність: 0,15мГн
Монтаж: SMD
Опір: 0,58Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,53А
Розміри корпусу: 7,3x7,3x4,5мм
Тип реактора: феритовий
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; SOIC8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; SOIC8; туба

18,44 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOIC8
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит

356,06 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
19,5мм
Діаметр:
41,2мм
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А

58,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,9мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка

14,76 грн

Високосортність:
10
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
0,18мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 12нГн; 750мА; R: 0,071Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 12нГн; 750мА; R: 0,071Ом; ±2%; LQW

6,34 грн

Високосортність:
38
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
12нГн
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм

18,94 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1515
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні

114,67 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
15,494мм
Індуктивність:
65,6мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
65,6мГн
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 7,9А; ±20%; Isat: 7,1А
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 7,9А; ±20%; Isat: 7,1А

47,52 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн